RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2479
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link