RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2479
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link