RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2479
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link