RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3601
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link