RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3601
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link