RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2773
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link