RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3504
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link