RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3504
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link