RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2947
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link