Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 16.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 77

Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 19.3
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3723

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM