RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3723
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link