RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3049
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link