RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
77
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
60
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1505
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link