RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 9905599-010.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2566
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link