RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3811
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Lenovo 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link