RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2708
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link