RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2989
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link