RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2443
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link