RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2443
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link