RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2550
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link