RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3040
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link