RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3040
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link