RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3684
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Mushkin 996902 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link