RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3167
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link