RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2330
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link