RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2330
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link