RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2803
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link