Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 12.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 77
    Около -166% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 5300
    Около 4.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 12.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 3093
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения