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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3093
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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