Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 15.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,622.0 left arrow 12.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 77
    Por volta de -166% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    23400 left arrow 5300
    Por volta de 4.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 12.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 3093
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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