Comparação RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 15.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,622.0 12.9

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 77

Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

23400 5300

Por volta de 4.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

763 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns