RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2948
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link