RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3444
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link