RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
8.8
Скорость записи, Гб/сек
10.3
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1967
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link