RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB против Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.5
18.3
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2829
3454
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link