RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3168
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link