RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
22.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
4052
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link