RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2484
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link