Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 16.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 33

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 24
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 16.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 2839

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

модули RAM