RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2940
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link