RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3722
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link