RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link