RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingston K821PJ-MID 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingston K821PJ-MID 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
41
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
41
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2338
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link