Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 34
    Около 3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.6 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 11.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2910 left arrow 2468
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения