SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB

SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB против Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB

Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.4 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.4 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2181 left arrow 2140
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения