RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2695
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link