RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2870
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link