RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
33
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
20
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3127
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link