RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3796
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link