RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2584
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link