RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1989
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link