RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2890
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link