Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB против Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Средняя оценка

Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Причины выбрать
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Причины выбрать
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 76

Около -181% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.7 5.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB

Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

76 27
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 12.0
Скорость записи, Гб/сек

5.0 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1168 1479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM